香港将成立本地首个第三代半导体氮化镓外延工艺研发中心

　　 中新社 香港7月30日电 (记者 刘大炜)香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司30日签署合作协议，将于香港科学园内设立全香港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心，并于创新园开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线。

　　氮化镓(GaN)是一种坚硬且非常稳定的第三代半导体材料，可在高温和高电压下进行长时间运作。此次在港设立的研发中心，将聚焦开发8寸氮化镓外延片工艺及设备平台，用于制作氮化镓光电子和功率器件。相关中试线将耗资2亿港元，设立投产后，会进行氮化镓外延片的小批量生产。

　　香港特区政府创新科技及工业局局长孙东在当天活动上致辞指出，香港要因地制宜发展新质生产力，须发挥好香港的国际化优势和雄厚的科研实力，支持优势科技产业在港发展，而第三代半导体就是香港近年来重点发展的科技领域。氮化镓外延工艺是发展第三代半导体的关键技术，能够优化产品性能，提升稳定性，为行业带来革命性突破。

　　孙东提到，特区政府正以产业导向为原则，积极推进微电子产业发展。香港微电子研发院将于年内成立，并设立碳化硅和氮化镓两条中试线，协助初创、中小企业进行试产、测试和认证，促进产、学、研在第三代半导体核心技术上的合作。

　　香港科技园公司行政总裁黄克强也表示，此次合作将成为香港微电子产业及新型工业化发展的重要里程碑，带动整个第三代半导体产业链布局，香港微电子创科生态会更为蓬勃。(完) 【编辑:付子豪】